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IRFD120

更新时间:2025-07-03 15:24:47

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

香港晨兴安富利电子有限公司
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深圳市源美佳成电子有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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IRFD120 概述

IRFD120是由International Rectifier公司（现为英飞凌的一部分）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件设计用于高效功率管理应用，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏极-源极电压（Vds）为100V，连续漏极电流（Id）可达4.4A。封装形式为TO-251，适合表面贴装工艺。典型应用场景包括直流电机驱动、电源转换器、逆变器以及各种功率控制电路。在电机驱动中，它能够有效降低功耗并提高效率；在电源转换器里，则可实现快速且稳定的开关操作。使用时需注意栅极驱动电压的选择以确保完全开启，推荐驱动电压范围为10V至20V。对于高频应用，应优化栅极电阻值以减少开关损耗。电路设计时要确保良好的散热条件，避免过热导致性能下降或损坏。

IRFD120 规格参数

数据列表
IRFD120
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
270 毫欧 @ 780mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
360pF @ 25V
功率 - 最大
1.3W
安装类型
通孔
封装/外壳
4-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商设备封装
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包装
管件
其它名称
*IRFD120IRFD121IRFD122

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