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IXTH11N100

更新时间:2025-07-13 02:28:17

供应商
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深圳市诚研翔科技有限公司
IXTH11N100
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北京睿宸齐芯科技有限公司
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得捷（深圳）商贸有限公司
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IXTH11N100 概述

IXTH11N100是由IXYS公司生产的一款高压功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效率和高性能的电力电子应用。其最大漏源电压（VDSS）为1000V，连续漏极电流（ID）在25°C时为11A。这款MOSFET常用于开关电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器及各类工业电源系统中。在实际应用中，建议根据具体电路要求选择合适的栅极电阻以优化开关速度与EMI性能。设计时应注意PCB布局，确保良好的散热路径并减少寄生电感，提高整体系统稳定性。对于高频应用，应仔细考虑栅极驱动电路的设计，以充分发挥其高速开关的优势。

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