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MJD31C1G

更新时间:2025-06-14 18:28:26
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MJD31C1G外观图

MJD31C1G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS POWER NPN 3A 100V IPAK

  • 封装:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
MJD31C1G 规格参数
  • 标准包装
    75
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    1.2V @ 375mA，3A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    50µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    10 @ 3A，4V
  • 功率 - 最大
    1.56W
  • 频率 - 转换
    3MHz
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
  • 供应商设备封装
    I-Pak
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    MJD31C1G-NDMJD31C1GOS
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