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NTB13N10G

更新时间:2025-06-12 04:39:19

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NTB13N10G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

NTB13N10G 概述

NTB13N10G是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和高开关速度特性，适用于多种高效能电源管理应用。其典型应用场景包括直流-直流转换器、负载开关以及电池充电电路等。在这些应用中，NTB13N10G能够有效降低能量损耗并提高系统效率。使用时应注意合理选择栅极驱动电压以确保最佳性能，并且考虑到其最大漏极电流和功耗限制，避免过载情况发生。设计电路时，建议根据具体需求进行热管理和PCB布局优化，以保障元件长期稳定运行。

NTB13N10G 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
13A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
165 毫欧 @ 6.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
550pF @ 25V
功率 - 最大
64.7W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
管件

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