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NTBS9D0N10MC

更新时间:2025-05-21 22:32:38

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武汉力源信息技术股份有限公司
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深圳市讯运电子有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司
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深圳市科讯达伟业电子有限公司
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易创佳业科技（深圳）有限公司
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深圳市华美智芯科技有限公司
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NTBS9D0N10MC 规格参数

现有数量
3,051现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 23A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 131μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1695 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK-3（TO-263-3）
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

芯知识

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