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当前位置：维库电子市场网>IC>ntd110n02r-001g 更新时间:2026-01-11 16:59:58

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  • NTD110N02R-001G的技术参数

    产品型号:ntd110n02r-001g源漏极间雪崩电压vbr(v):24源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):4.600最大漏极电流id(on)(a):110通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 3/-55 ~150描述:24 v, 110 a功率mosfet价格/1片(套):￥6.00 来源:xiangxueqin

  • NTD110N02R-001G的技术参数

    产品型号:NTD110N02R-001G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):24
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600
    最大漏极电流Id(on)(A):110
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK 3/-55 ~150
    描述:24 V, 110 A功率MOSFET
    价格/1片(套):￥6.00

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