NTD110N02R-001
2840
original/727
原装现货 可含税账期可谈
NTD110N02RT4G
12000
TO252/-
-
NTD110N02R
84568
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/25+
百分百原装,价格优势可提供技术支持,免费送样品
NTD110N02R
8000
SOP/22+
原装现货,配单能手
NTD110N02R
8000
-/25+
原装现货,支持BOM配单
NTD110N02R
60701
TSSOP/24+
深圳原装现货,可看货可提供拍照
NTD110N02R
9200
TSSOP/23+
只做原装更多数量在途订单
NTD110N02R
8000
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全新原装,可开增值税票
NTD110N02R
120812
TSSOP/23+
只做原装,专注海外现货订购20年
NTD110N02R
3000
SOP/11+
原装正品热卖,价格优势
NTD110N02R
12260
SOP/23+
高品质 优选好芯
NTD110N02R
8500
DPAK/2025+
原装现货
NTD110N02R
5000
SOP/23+
原装库存,提供优质服务
NTD110N02R
5000
TSSOP/23+
优势产品大量库存原装现货
NTD110N02R
5000
SOP/26+
全新原装现货,一站式配单服务
NTD110N02R
6000
TO252/23+
终端可以免费供样,支持BOM配单
NTD110N02R
5000
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优势渠道现货,提供一站式配单服务
NTD110N02R
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DPAK4/16+RoHS
保证质量质优价好给你
NTD110N02R
8700
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原装现货
NTD110N02R
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NR/2017+
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NTD110N02R
Power MOSFET
ONSEMI
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NTD110N02R
Power MOSFET
ONSEMI [ON Semiconductor]
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NTD110N02RG
Power MOSFET
ONSEMI
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NTD110N02RG
Power MOSFET
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NTD110N02R-D
Power MOSFET 24 V, 110 A, N-Channel ...
ON Semiconductor
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NTD110N02RT4
Power MOSFET
ONSEMI
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NTD110N02RT4
Power MOSFET
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Power MOSFET
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MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
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NTD110N02RT4G
Power MOSFET
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fc前端的选择变得非常容易,既减少元件数,并在没有波段转换开关的情况下提供一个功能强大的高性价比的前端。 ncp1280:有源钳位电路控制器,是atx电源的开关模式电源(smps)部分的理想产品。这器件具有软开关能力及其他独特性能,能极大地提高功率段的效率。 ncp1014:高度集成的稳压器,是实现atx电源的待机/偏置转换器部分的理想产品。这器件提供高效的10 w待机功率,其元件数比现行的解决方案要少。 ncp4330:同步后稳压器,在atx电源输出中提供更高的效率,可替代磁放大型后稳压器。 ntd110n02r和ntp65n02r:低rds(on)的n沟道mosfet,做为ncp4330后稳压器的一部分,提供脉冲宽度的调节。 来源:零八我的爱
,既减少元件数,并在没有波段转换开关的情况下提供一个功能强大的高性价比的前端。 ncp1280:有源钳位电路控制器,是atx电源的开关模式电源(smps)部分的理想产品。这器件具有软开关能力及其他独特性能,能极大地提高功率段的效率。 ncp1014:高度集成的稳压器,是实现atx电源的待机/偏置转换器部分的理想产品。这器件提供高效的10 w待机功率,其元件数比现行的解决方案要少。 ncp4330:同步后稳压器,在atx电源输出中提供更高的效率,可替代磁放大型后稳压器。 ntd110n02r 和ntp65n02r:低rds(on)的n沟道mosfet,做为ncp4330后稳压器的一部分,提供脉冲宽度的调节。 来源:小草
产品型号:ntd110n02r源漏极间雪崩电压vbr(v):24源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):3.700最大漏极电流id(on)(a):110通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~150描述:110a,24v功率mosfet价格/1片(套):¥9.20 来源:xiangxueqin
产品型号:NTD110N02RT4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):24
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600
最大漏极电流Id(on)(A):110
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:24 V, 110 A功率MOSFET
价格/1片(套):¥6.00
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产品型号:NTD110N02RG
源漏极间雪崩电压VBR(V):24
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.700
最大漏极电流Id(on)(A):110
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK/-55~150
描述:110A,24V功率MOSFET
价格/1片(套):¥6.00
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产品型号:NTD110N02R-001G
源漏极间雪崩电压VBR(V):24
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600
最大漏极电流Id(on)(A):110
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK 3/-55 ~150
描述:24 V, 110 A功率MOSFET
价格/1片(套):¥6.00
产品型号:NTD110N02R
源漏极间雪崩电压VBR(V):24
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.700
最大漏极电流Id(on)(A):110
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK/-55~150
描述:110A,24V功率MOSFET
价格/1片(套):¥9.20
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少元件数,并在没有波段转换开关的情况下提供一个功能强大的高性价比的前端。 ncp1280:有源钳位电路控制器,是atx电源的开关模式电源(smps)部分的理想产品。这器件具有软开关能力及其他独特性能,能极大地提高功率段的效率。 ncp1014:高度集成的稳压器,是实现atx电源的待机/偏置转换器部分的理想产品。这器件提供高效的10 w待机功率,其元件数比现行的解决方案要少。 ncp4330:同步后稳压器,在atx电源输出中提供更高的效率,可替代磁放大型后稳压器。 ntd110n02r和ntp65n02r:低rds(on)的n沟道mosfet,做为ncp4330后稳压器的一部分,提供脉冲宽度的调节。 个先进电源管理器件,并利用先进的分立元件技术取得性能上的突破。
表1所列,控制电路参数如表2所列。 表1 实验电路参数 参数名称 数值或型号 输入电压vin dc36v/48v c1,c2 63v/100μf 开关频率fs 225khz 原边漏感lk 500nh s1,s2 irlr2905 变压器磁芯 r-42216-ec 输出vo/io 1.0v/30a co 2.5v/1500μf 变压器原副边匝比 12:1 输出电感lo 2.5μh sr1,sr2 ntd110n02r 输出滤波电感磁芯 ms090125-2 表2 控制电路参数参数名称 数值或型号 r1,r2 1kω d3,d4,d5 in4148 触发器 cd4013 与非门 cd4011 r3 2.1kω c 100pf 反相器 mic4423 自举芯片 hip2100 实验波形图如图5所示。图5(a)是原边主开关管和副边同步整流管的门极驱动波形。轻载时,由于负载电流较小,所以反映到原边的电流也较小,存储在变