当前位置:维库电子市场网>IC>ntd110n02r 更新时间:2024-04-27 13:58:38

ntd110n02r供应商优质现货

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ntd110n02r价格行情

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ntd110n02r中文资料

  • ONSEMI ATX电源参考设计

    fc前端的选择变得非常容易,既减少元件数,并在没有波段转换开关的情况下提供一个功能强大的高性价比的前端。 ncp1280:有源钳位电路控制器,是atx电源的开关模式电源(smps)部分的理想产品。这器件具有软开关能力及其他独特性能,能极大地提高功率段的效率。 ncp1014:高度集成的稳压器,是实现atx电源的待机/偏置转换器部分的理想产品。这器件提供高效的10 w待机功率,其元件数比现行的解决方案要少。 ncp4330:同步后稳压器,在atx电源输出中提供更高的效率,可替代磁放大型后稳压器。 ntd110n02r和ntp65n02r:低rds(on)的n沟道mosfet,做为ncp4330后稳压器的一部分,提供脉冲宽度的调节。 来源:零八我的爱

  • 安森美的ATX电源参考设计满足80 PLUS性能要求

    ,既减少元件数,并在没有波段转换开关的情况下提供一个功能强大的高性价比的前端。 ncp1280:有源钳位电路控制器,是atx电源的开关模式电源(smps)部分的理想产品。这器件具有软开关能力及其他独特性能,能极大地提高功率段的效率。 ncp1014:高度集成的稳压器,是实现atx电源的待机/偏置转换器部分的理想产品。这器件提供高效的10 w待机功率,其元件数比现行的解决方案要少。 ncp4330:同步后稳压器,在atx电源输出中提供更高的效率,可替代磁放大型后稳压器。 ntd110n02r 和ntp65n02r:低rds(on)的n沟道mosfet,做为ncp4330后稳压器的一部分,提供脉冲宽度的调节。 来源:小草

  • NTD110N02R的技术参数

    产品型号:ntd110n02r源漏极间雪崩电压vbr(v):24源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):3.700最大漏极电流id(on)(a):110通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~150描述:110a,24v功率mosfet价格/1片(套):¥9.20 来源:xiangxueqin

  • NTD110N02RT4G的技术参数

    产品型号:NTD110N02RT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):24
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600
    最大漏极电流Id(on)(A):110
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
    描述:24 V, 110 A功率MOSFET
    价格/1片(套):¥6.00
    ...

  • NTD110N02RG的技术参数

    产品型号:NTD110N02RG
    源漏极间雪崩电压VBR(V):24
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.700
    最大漏极电流Id(on)(A):110
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK/-55~150
    描述:110A,24V功率MOSFET
    价格/1片(套):¥6.00


    ...

  • NTD110N02R-001G的技术参数

    产品型号:NTD110N02R-001G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):24
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600
    最大漏极电流Id(on)(A):110
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK 3/-55 ~150
    描述:24 V, 110 A功率MOSFET
    价格/1片(套):¥6.00

  • NTD110N02R的技术参数

    产品型号:NTD110N02R
    源漏极间雪崩电压VBR(V):24
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.700
    最大漏极电流Id(on)(A):110
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK/-55~150
    描述:110A,24V功率MOSFET
    价格/1片(套):¥9.20


    &...

  • ONSEMI ATX电源参考设计

    少元件数,并在没有波段转换开关的情况下提供一个功能强大的高性价比的前端。 ncp1280:有源钳位电路控制器,是atx电源的开关模式电源(smps)部分的理想产品。这器件具有软开关能力及其他独特性能,能极大地提高功率段的效率。 ncp1014:高度集成的稳压器,是实现atx电源的待机/偏置转换器部分的理想产品。这器件提供高效的10 w待机功率,其元件数比现行的解决方案要少。 ncp4330:同步后稳压器,在atx电源输出中提供更高的效率,可替代磁放大型后稳压器。 ntd110n02r和ntp65n02r:低rds(on)的n沟道mosfet,做为ncp4330后稳压器的一部分,提供脉冲宽度的调节。 个先进电源管理器件,并利用先进的分立元件技术取得性能上的突破。

  • 一种新型软开关半桥DC/DC 变流器的研究

    表1所列,控制电路参数如表2所列。 表1 实验电路参数 参数名称 数值或型号 输入电压vin dc36v/48v c1,c2 63v/100μf 开关频率fs 225khz 原边漏感lk 500nh s1,s2 irlr2905 变压器磁芯 r-42216-ec 输出vo/io 1.0v/30a co 2.5v/1500μf 变压器原副边匝比 12:1 输出电感lo 2.5μh sr1,sr2 ntd110n02r 输出滤波电感磁芯 ms090125-2 表2 控制电路参数参数名称 数值或型号 r1,r2 1kω d3,d4,d5 in4148 触发器 cd4013 与非门 cd4011 r3 2.1kω c 100pf 反相器 mic4423 自举芯片 hip2100 实验波形图如图5所示。图5(a)是原边主开关管和副边同步整流管的门极驱动波形。轻载时,由于负载电流较小,所以反映到原边的电流也较小,存储在变

ntd110n02r替代型号

NTD110N02 NTC5D-9 NTC10K NTB90N02 NTB85N03T4G NTB85N03 NTB75N06T4G NTB75N06LT4G NTB75N06L NTB75N06G

NTD110N02R-001G NTD110N02RG NTD110N02RT4G NTD12N10 NTD12N10-1G NTD12N10T4G NTD14N03 NTD14N03R NTD14N03RT4G NTD15N06

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