NTD110N02RT4
90000
TO252/23+
一级代理现货,保证进口原装假一罚十价格合理
NTD110N02R
60659
TO252/23+
只做大芯片/可代替进口/可订制
NTD110N02RT4G
12000
TO252/-
-
NTD110N02
69000
TO252/21+
原厂原装现货 假一赔十
NTD110N02
138000
SOT252/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
NTD110N02
6000
TO252/08+
原装正品,配单能手
NTD110N02
8150
NA//23+
原装现货,当天可交货,原型号开票
NTD110N02
8913
SOT252/23+
柒号芯城,离原厂的距离只有0.07公分
NTD110N02
4900
SOT252/10+
只做原装 支持BOM配单服务 企业QQ 3003975274
NTD110N02
168000
SOT252/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
NTD110N02
52701
SOT252/22+
只做原装,专注海外现货订购20年
NTD110N02
8397
SOT252/2023+
原装
NTD110N02
6492
SOT252/22+
原厂原装现货
NTD110N02
9505
SOT252/22+
十年配单,只做原装
NTD110N02
24643
SOT252/21+
原厂原装现货
NTD110N02
20454
SOT252/-
20年配单 只求现货匹配
NTD110N02
100000
TO252/2035+
原厂原装现货库存支持单天发货
NTD110N02
6000
TO252/08+
原装正品,配单能手
NTD110N02
26000
TO252/2024
原装现货上海库存,欢迎查询
6+2.88= 8.88w 集成oring二极管解决方案 安森美半导体的nis6111是一个混合oring二极管,参见图3 nis6111框图。该集成oring二极管在if = 20a时vf = 0.124v。它的正向导通损耗是0.124vx20a=2.48w。因为oring二极管用于门驱动,可以并联一个额外的mosfet,进一步降低vf。(并联相同的mosfet以与特性相匹配是一个好的做法。内置的mosfet是ntd110n02,)参见图4等效电路表示。 并联ntd110n02之后,导通功率损耗变为0.062vx20a=1.24w。因为这是一个集成器件,内部的模拟电路的最大偏置电流为4ma。最大的偏置功耗是4 ma xvanode=4 ma x13.2v=53mw。加到浮电荷泵器件的最大功率是36 mw。浮电荷泵采用+12 vdc总线作为输入并且将其升高10v,送到nis6111的vregin引脚,所以总导通功耗是1.33w。
产品型号:NTD110N02RT4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):24
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600
最大漏极电流Id(on)(A):110
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:24 V, 110 A功率MOSFET
价格/1片(套):¥6.00
...
产品型号:NTD110N02RG
源漏极间雪崩电压VBR(V):24
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.700
最大漏极电流Id(on)(A):110
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK/-55~150
描述:110A,24V功率MOSFET
价格/1片(套):¥6.00
...
产品型号:NTD110N02R-001G
源漏极间雪崩电压VBR(V):24
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600
最大漏极电流Id(on)(A):110
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK 3/-55 ~150
描述:24 V, 110 A功率MOSFET
价格/1片(套):¥6.00
产品型号:NTD110N02R
源漏极间雪崩电压VBR(V):24
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.700
最大漏极电流Id(on)(A):110
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK/-55~150
描述:110A,24V功率MOSFET
价格/1片(套):¥9.20
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