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NTJD2152PT2G

更新时间:2025-05-17 16:31:02

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NTJD2152PT2G

ON Semiconductor FET - 阵列

MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363

封装:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

NTJD2152PT2G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
2 个 P 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
775mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
300 毫欧 @ 570mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
225pF @ 8V
功率 - 最大
270mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装
SOT-363
包装
带卷 (TR)

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