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NTMFS4835NT1G

更新时间:2025-07-03 14:24:48

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市泰佳兴电子有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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深圳市鑫宇杨电子科技有限责任
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深圳市鸿源达电子有限公司
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NTMFS4835NT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 12A SO-8FL

封装:8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）

NTMFS4835NT1G 规格参数

标准包装
1,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
12A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.5 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
39nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3100pF @ 12V
功率 - 最大
890mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）
供应商设备封装
6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6）
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTMFS4835NT1G-NDNTMFS4835NT1GOSTR

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