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  • NTJD4001NT1G的技术参数

    产品型号:ntjd4001nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):1500最大漏极电流id(on)(a):0.250通道极性:n封装/温度(℃):sc88-6/-55~150描述:30v,0.25a,n沟道双mosfet价格/1片(套):¥.60 来源:xiangxueqin

  • NTJD4001NT1G的技术参数

    产品型号:NTJD4001NT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1500
    最大漏极电流Id(on)(A):0.250
    通道极性:N
    封装/温度(℃):SC88-6/-55~150
    描述:30V,0.25A,N沟道双MOSFET
    价格/1片(套):¥.60

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ntjd4001nt1g替代型号

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