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NTJD4105CT1

更新时间:2025-06-21 10:05:13
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NTJD4105CT1 规格参数
  • 制造商
    ON Semiconductor
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    20 V, - 8 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 12 V, +/- 8 V
  • 漏极连续电流
    630 mA, - 775 mA
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.29 Ohms at 4.5 V, 0.22 Ohms at - 4.5 V
  • 配置
    Dual
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SOT-363-6
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    506 nS, 36 nS
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    2 S, 2 S
  • 栅极电荷 Qg
    1.3 nC, 2.2 nC
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    270 mW
  • 上升时间
    227 nS, 23 nS
  • 工厂包装数量
    3000
  • 典型关闭延迟时间
    786 nS, 50 nS
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