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  • NTJD4158CT1G的技术参数

    产品型号:ntjd4158ct1g源漏极间雪崩电压vbr(v):30/20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):260最大漏极电流id(on)(a):0.25/0.88通道极性:n/p封装/温度(℃):sc88-6/-55~150描述:30v/-20v,0.25a/-0.88a,n/p沟道双mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin

  • NTJD4158CT1G的技术参数

    产品型号:NTJD4158CT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30/20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):260
    最大漏极电流Id(on)(A):0.25/0.88
    通道极性:N/P
    封装/温度(℃):SC88-6/-55~150
    描述:30V/-20V,0.25A/-0.88A,N/P沟道双MOSFET
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ntjd4158ct1g替代型号

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