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NTJD4105CT4G

更新时间:2025-06-11 22:14:29
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NTJD4105CT4G外观图

NTJD4105CT4G

ON Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363

  • 封装:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
NTJD4105CT4G 规格参数
  • 标准包装
    10,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    N 和 P 沟道
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V，8V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    630mA，775mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    375 毫欧 @ 630mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    46pF @ 20V
  • 功率 - 最大
    270mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装
    SOT-363
  • 包装
    带卷 (TR)
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