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NTMFS4841NHT1G

更新时间:2025-07-03 13:59:10

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封装/批号
说明
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深圳市铠翰智能工控有限公司
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NTMFS4841NHT1G外观图

NTMFS4841NHT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL

封装:8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）

NTMFS4841NHT1G 概述

NTMFS4841NHT1G是由安森美半导体生产的N沟道增强型MOSFET，采用TSOP-6封装。这款MOSFET专为低电压应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性。其典型应用场景包括负载开关、电源管理以及DC-DC转换器等便携式设备中。在负载开关电路中，NTMFS4841NHT1G可以有效控制电流的通断，减少功耗。当用于DC-DC转换器时，它能够提高转换效率并减小尺寸。由于其出色的热性能和电气特性，在紧凑型设计中表现卓越。建议在使用时注意散热设计，并确保栅极驱动电压足够以达到最佳导通效果。根据具体应用需求选择合适的外围元件如电感、电容等，以优化整体电路性能。

NTMFS4841NHT1G 规格参数

标准包装
1,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
33nC @ 11.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2113pF @ 12V
功率 - 最大
870mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）
供应商设备封装
6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6）
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTMFS4841NHT1G-NDNTMFS4841NHT1GOSTR

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