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NTD24N06T4G

更新时间:2025-05-17 08:11:04

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市集好芯城科技有限公司
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集好芯城，芯片集成，品质保证，60天账期支持
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深圳市中元伟业电子商行
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100000
ONSEMI/安森美
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1比1质量完美通用/包上机可供更多

深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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8502
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TO252/2020+
原装现货

深圳市正纳电子有限公司
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TO252/ROHS.NEW
特价原装电子元件样品支持现货供应

深圳市晶美隆科技有限公司
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68500
ON/安森美
TO252/24+
假一罚十，原装进口现货供应，只做原装

深圳市华盛锦科技有限公司
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8000
ON
21+/25+
原装现货，支持BOM配单

深圳市华美锐电子有限公司
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ON/安森美
TO252/22+
只做原装,专注海外现货订购20年

深圳市硅诺电子科技有限公司
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原装认证有意请来电或QQ洽谈

深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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540030
MAXIM/美信
SOP8/22+
可查官网https//www.icscjh.com/

深圳市杰旭鑫科技有限公司
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15626
ON
Spot Stock/22+
全新原装现货，可开专票

深圳市伟欣华电子有限公司
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150000
ON/安森美
TO252/21+
原装现货，价格优势，支持bom表配单

深圳市英科美电子有限公司
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保证全新原装

深圳市威尔健半导体有限公司
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TO252/2025+
原装现货

深圳市安富世纪电子有限公司
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ON/安森美
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终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市永贝尔半导体有限公司
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9200
VB
TO252/23+
只做原装更多数量在途订单

深圳市能元时代电子有限公司
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ON Semiconductor
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/25+
百分百原装，价格优势可提供技术支持，免费送样品

深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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只做原厂原装假一罚十可含税

深圳市芯齐壹科技有限公司
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官网可查icscjh.com

深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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深圳市华斯顿科技有限公司
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TO252/25+23+
原装现货/优势渠道商、原盘原包原盒

深圳市芯福林电子科技有限公司
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0226+/TO252
全新原装

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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8000
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原装现货，支持BOM配单

深圳市硅宇电子有限公司
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ON Semiconductor(安森美)
SMD/25+
助力国营二十余载，一站式BOM配单

深圳市优尚半导体科技有限公司
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30000
ONSEMI/安森美
DPAK(TO252)/23+
优势产品原装现货

深圳市博伟奇电子有限公司
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高品质优选好芯

深圳市创芯联盈电子有限公司
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SMD/2519+
一级代理专营品牌原装，优势现货，长期排单到货

深圳市怡兴业电子科技有限公司
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专注电子元件十年，只做原装现货

上海熠富电子科技有限公司
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19033
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to252/2024
上海原装现货库存，欢迎查询

深圳市汇创佳电子科技有限公司
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DPAK3/20+
公司现货原装

深圳市莱克讯科技有限公司
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24565
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TO252/1903+
原包装正品现货库存-正规渠道增值税票

深圳市华美锐科技有限公司
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原装正品热卖，价格优势

深圳市得捷芯城科技有限公司
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TO252/23+
原装现货，当天可交货，原型号开票

深圳市米数科技有限公司
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DPAK/25+
只做原装，价格市场

深圳市威雅利发展有限公司
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原装现货

深圳市福启达科技有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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原装进口现货，假一赔十，价格优势

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只做原装，专注提供BOM配单服务

蓝界科技（深圳）有限公司
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国内库存，原装现货/特卖价

深圳市誉辉天成电子有限公司
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深圳市天卓伟业电子有限公司
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NK/南科功率
TO2522/2025+
南科国产替代

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NTD24N06T4G外观图

NTD24N06T4G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

NTD24N06T4G 概述

NTD24N06T4G是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，在栅极电压为10V时典型值仅为0.027欧姆。其最大漏源电压(VDS)可达60V，连续漏极电流(ID)最高可至24A。适用于开关电源、电机驱动、直流-直流转换器等需要高效功率管理的应用场景。在电机控制应用中，建议关注其散热设计以确保长时间稳定工作，并且在PCB布局时尽量缩短源极到地的走线距离来减少噪声干扰。

NTD24N06T4G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
24A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
42 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
48nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1200pF @ 25V
功率 - 最大
1.36W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
DPAK-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTD24N06T4GOSNTD24N06T4GOS-NDNTD24N06T4GOSTR

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