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NTD25P03LG

更新时间:2025-05-19 20:41:22

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说明
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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NTD25P03LG外观图

NTD25P03LG

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 30V 25A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

NTD25P03LG 概述

NTD25P03LG是由Nexperia公司生产的P沟道MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适合在多种电源管理应用中使用。其最大漏极-源极电压为-30V，在室温下连续漏极电流可达-8.3A，适用于需要高效功率转换的场景。典型应用场景包括负载开关、电源管理模块中的DC-DC转换器以及电池保护电路。由于其低栅极电荷特性，可以实现快速响应并减少驱动损耗。此外，该MOSFET还具备良好的热性能和可靠性，能够在工业级温度范围内稳定工作。在实际应用中，建议选择合适的栅极驱动电压以确保完全开启或关闭MOSFET。设计时需注意PCB布局以优化散热效果，并避免过大的寄生电感影响开关性能。如果用于高频率开关应用，还需仔细考虑栅极电阻的选择以控制开关速度。

NTD25P03LG 规格参数

标准包装
75
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
25A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫欧 @ 25A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1260pF @ 25V
功率 - 最大
75W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
DPAK-3
包装
管件
其它名称
NTD25P03LG-NDNTD25P03LGOS

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