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STD60NF55LAT4

更新时间:2025-05-27 11:58:50

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STD60NF55LAT4 规格参数

现有数量
236现货
系列
Automotive, AEC-Q101, SuperFET? II
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
40 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1950 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-PAK（TO-252）
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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