STD6N62K3
150000
TO252/21+
原装现货，价格优势，支持bom表配单
STD6N62K3
1000
TO252/24+
原装现货，数量多可订货
STD6N62K3
6697
DPAK/23+
原装，授权代理
STD6N62K3
7500
TO2523/24+
-
STD6N62K3
5000
TO252/2025+
原装现货，实单支持
STD6N62K3
7500
SOP/22+
只做全新原装，支持实单/可含税
STD6N62K3
8965
TO252/2018+
优势库存，特价出售 一站式配单服务
STD6N62K3
5000
TO252/22+
原装现货，实单来谈，配套服务
STD6N62K3
60701
TSSOP/24+
深圳原装现货，可看货可提供拍照
STD6N62K3
10212
TO252/21+
原装现货终端免费提供样品
STD6N62K3
12500
TSSOP/24+
16年老牌企业 原装低价现货
STD6N62K3
5000
DPAK/-
只做原装，提供一站式BOM配套服务
STD6N62K3
20000
20+/TO2523
原装正品现货假一罚十ST全系列订货
STD6N62K3
8000
PowerFLAT/2024+
原装现货，支持BOM配单
STD6N62K3
5000
TO252/23+
原装现货，实单支持
STD6N62K3
5000
TSSOP/23+
优势产品大量库存原装现货
STD6N62K3
7764
TO252/23+
原装现货，当天可交货，原型号开票
STD6N62K3
5000
-/23+
原装库存，提供优质服务
STD6N62K3
12000
TO252/21+
全新原装 只做原装支持实单
能效，功率mosfet被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。supermesh3的创新技术，结合更低的导通电阻，确保晶体管具有更高的能效。此外，配合优异的dv/dt性能及更高的击穿电压裕度，将大幅度提高可靠性和安全性。 620v的stx6n62k3是新推出的supermesh3系列产品的首款产品，随后还将推出620v的stx3n62k3和525v 的stx7n52k3 和stx6n52k3。利用supermesh3技术可以降低导通电阻的优点，在620v电压下，dpak封装的std6n62k3把导通电阻rds（on）降低到 1.28ω；在525v电压下，std7n52k3把导通电阻rds（on）降低到0.98ω，从而提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效。新技术还降低反向恢复时间（trr）、栅电荷量和本征电容，提高开关性能和工作频率。 优化的垂直结构和带状拓扑的融合，为意法半导体的supermesh3技术增添了一个新的优点：即同类产品中最出色的dv/dt特性。这个特性可以让照明系统和消费电子设备具有更高的可靠性和安全性。为实现全方位的强健性，supermesh3器件全部经过了
能效，功率mosfet被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。supermesh3的创新技术，结合更低的导通电阻，确保晶体管具有更高的能效。此外，配合优异的dv/dt性能及更高的击穿电压裕度，将大幅度提高可靠性和安全性。 620v的stx6n62k3是新推出的supermesh3系列产品的首款产品，随后还将推出620v的stx3n62k3和525v 的stx7n52k3 和stx6n52k3。利用supermesh3技术可以降低导通电阻的优点，在620v电压下，dpak封装的std6n62k3把导通电阻rds(on)降低到 1.28ω；在525v电压下，std7n52k3把导通电阻rds(on)降低到0.98ω，从而提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效。新技术还降低反向恢复时间(trr)、栅电荷量和本征电容，提高开关性能和工作频率。 优化的垂直结构和带状拓扑的融合，为意法半导体的supermesh3技术增添了一个新的优点：即同类产品中最出色的dv/dt特性。这个特性可以让照明系统和消费电子设备具有更高的可靠性和安全性。为实现全方位的强健性，supermesh3器件全部经过了10
能效，功率mosfet被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。supermesh3的创新技术，结合更低的导通电阻，确保晶体管具有更高的能效。此外，配合优异的dv/dt性能及更高的击穿电压裕度，将大幅度提高可靠性和安全性。 620v的stx6n62k3是新推出的supermesh3系列产品的首款产品，随后还将推出620v的stx3n62k3和525v 的stx7n52k3 和stx6n52k3。利用supermesh3技术可以降低导通电阻的优点，在620v电压下，dpak封装的std6n62k3把导通电阻rds(on)降低到 1.28ω；在525v电压下，std7n52k3把导通电阻rds(on)降低到0.98ω，从而提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效。新技术还降低反向恢复时间(trr)、栅电荷量和本征电容，提高开关性能和工作频率。 优化的垂直结构和带状拓扑的融合，为意法半导体的supermesh3技术增添了一个新的优点：即同类产品中最出色的dv/dt特性。这个特性可以让照明系统和消费电子设备具有更高的可靠性和安全性。为实现全方位的强健性，supermesh3器件全部经过了10
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