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CSD85312Q3E

更新时间:2025-07-24 04:27:03
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CSD85312Q3E 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    NexFET?
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 N 沟道（双）共源
  • FET 功能
    逻辑电平栅极，5V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）
    20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    39A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    12.4 毫欧 @ 10A，8V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    15.2nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    2390pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
    2.5W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装
    8-VSON（3.3x3.3）
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广东微尔科技有限公司
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