IR新型MOSFET器件为PoE应用节省80%的占位空间
出处:杨真人 发布于:2007-11-29 15:47:29
IR中国及香港销售总监严国富指出:“PoE卡的每个端口都需要有各自的MOSFET,IRF4000正好可以满足这种需 要。与使用单独MOSFET的解决方案相比,它能大幅度减少零件数目,同时简化制造工艺,可在48端口系统中节省36个插入元件。”
IEEE 802.3af提出了在网络系统中由电源设备通过局域网向用电装置供电的标准。IR的这款新型MOSFET的工作类似一个热交换场效应管,在受控环境下,可将电力由电源设备输送到用电装置。由于它必须在线性区域工作,工作环境也非常严峻,因此必须设置一个高度稳定的安全工作区域(SOA)。
IRF4000采用低跨导硅技术,封装热阻约1°C/W,在线性区域工作时可高效地散发热量。该器件经过全面的电学和热特性优化,以适应苛刻的IEEE 802.3af工作条件,与独立的SOT-223 MOSFET相比,该器件安全工作区域增加56%,有效改善了系统的可靠性和耐热性。
IRF4000除了适用于48端口系统,还适用于96端口产品或更小型的12端口PoE插头模组。在各种情况下,每个 IRF4000器件都可以取代4个端口。新器件已经通过MSL三级。
IRF4000除了符合IEEE 802.3af规范,还能够满足即将问世的针对高功率负载的PoE Plus构架的要求。
IRF4000尺寸为10毫米(长)×5毫米(宽)×1.85毫米(高)。现已开始供货,以一万件订货量计算,单价为2.00美元,价格会有所变动。
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