ST推出采用65nm制造工艺的PR系列NOR闪存产品。基于第四代多电平单元(MLC)技术，65nm PR系列闪存的软硬件兼容现有的90nm PR系列NOR闪存，为客户升级现有系统提供了一条捷径，同时还提高了存储密度和产品性能。
　　为满足移动应用市场对高分辨相机、多媒体内容和快速联网的需求，新的65nm PR系列闪存的突发读取速度达到133MHz，编程速度达到1.0-MB/s，支持深关断睡眠模式，采用1.8V电源电压。这个先进的NOR闪存系列产品与LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM和NAND存储器芯片以共享总线或分用总线的配置组装在一起，以多片封闭(MCP)和层叠封装(PoP)解决方案的形式提供给广大用户。
　　ST 1-Gbit MLC NOR闪存裸片尺寸为50.8mm，具有20.16-Mbit/mm?的高Mbit/mm存储密度。单元尺寸也非常小，仅为0.042m。
　　65nm PR系列是意法半导体与英特尔于2005年12月宣布的合作计划的一部分，这项目前还在进行的合作计划的目的是为客户提供的高性能产品，并提供多货源的采购灵活性。
　　新产品样片现已上市，256-Mbit、512-Mbit和1-Gbit闪存与PSRAM、LPSDRAM和NAND存储器芯片的堆叠封装产品的预算价格估计在10美元到30美元之间。