瑟思集团(SEZ Group)日前宣布了公司面向前段工艺过程(FEOL)中清洗和光阻剥离工艺的Esanti平台。极其灵活的Esanti平台充分利用了SEZ集团久经考验的技术单晶圆湿式处理技术，旨在满足45纳米及其更低尺寸的芯片制造中前段工艺过程的清洗衍变需求。它构筑于公司的旋转处理器技术之上，增加了新的功能，改善了缺陷去除和表面干化，从而有效地满足了范围宽泛的量产制造应用需求。这一新型平台是SEZ集团面向FEOL工艺过程系列产品的贡献，是继2006年7月发布产品Enhanced Sulfuric Acid(ESA)剥离工艺过程之后的又一力作，而Esanti平台无疑优化了该产品的部署展开。 

　　单晶圆技术——特别是湿式处理技术——随着产品周期的缩短以及成本的持续攀升，导致了对更工艺控制的需求，使得该技术逐渐成为主流趋势。近年来，在后段工艺过程(BEOL)中，以往由批式工艺过程(湿式处理台和喷射工具)占据主导地位的清洗市场已经衍变到单晶圆方法。如今，公司已经做好充分准备，可以将FEOL清洗和剥离步骤转变为单晶圆工艺过程，这一切都归因于上述两种单晶圆方法能够克服批式技术存在的一系列局限性。单晶圆方法通过卓越的工艺过程控制、均一性、周期时间以及与其它单晶圆工具的匹配等，实现了交叉污染(晶圆内和晶圆间)的化，从而极大地改善了缺陷密度。 

    Esanti平台具备多个开放的反应仓设计，实现了充分的灵活性，满足了广泛的FEOL清洗应用需求，包括扩散前清洗、门极前清洗、剥离/灰化后清洗、接触和金属化前清洗，以及高温(140摄氏度)蚀刻后、离子注入后湿式阻抗剥离和清洗和光阻返工。该平台整合了经过验证的已整合到SEZ达芬奇Da Vinci产品家族中的功能，诸如聚合物清洗和背面处理，以及一系列的新特点。其中重要的特点是双面处理功能、Active-Jet渐射技术，实现了改善的缺陷去除，同时还包括SEZ的气雾表面干蚀(ASD)技术，在干蚀工艺过程中有效预防了各种结构上水印的形成，以及图形的失效。