Atmel近日宣布推出基于硅锗(SiGe)的新型前端集成电路(front-end IC)——ATR0981。通过SiGe技术的应用以及该设备的较广工作频率范围(300MHz至500MHz)，可实现从手持家用无线电(PMR专用移动无线电)设备到读表器(meter reader)等众多应用。由于该前端设备高度整合，使用这种前端设备能够设计外部元件较少的应用，包括接收路径的高效功率放大器(PA)和低噪音放大器(LNA)。

      相较于大多数分散的家用无线电前端解决方案，该集成电路利用Atmel硅锗技术制成。由于受温度的影响较小，硅锗确保了高度可靠性和稳定性。节约组件成本的同时，较少的组件数量还意味着减少了为设计所花费的精力、失败风险和装配成本。

      此外，硅锗将功率附加效率(PAE)提高至55%，这有助于确保功率放大器的低电流消耗。总电流消耗可以通过关闭功率放大器得到进一步的降低，从而延长电池寿命。输出功率可以达到29dBm，功率放大器的功率增益为34dB，并可以在3dB 范围内进行调整。ATR0981的LNA噪音系数为1.5dB，功率增益为19dB。

      ATR0981样品目前以无铅、环保PSSO20封装推出。购买1,000件的单价为1.2美元。