ST推出市场上裸片的1-Gbit和512-Mbit 65nm多电平单元NOR闪存

出处：chunyang 发布于：2007-12-13 14:32:20

的手机闪存解决方案供应商意法半导体近日推出了一个采用65nm制造工艺的PR系列NOR闪存产品。基于第四代多电平单元(MLC)技术，65nm PR系列闪存的软硬件兼容现有的90nm PR系列NOR闪存，为客户升级现有系统提供了一条捷径，同时还提高了存储密度和产品性能。　　为满足移动应用市场对高分辨相机、多媒体内容和快速联网的需求，新的65nm PR系列闪存的突发读取速度达到133MHz，编程速度达到1.0-MB/s，支持深关断睡眠模式，采用1.8V电源电压。这个先进的NOR闪存系列产品与LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM和NAND存储器芯片以共享总线或分用总线的配置组装在一起，以多片封闭(MCP)和层叠封装(PoP)解决方案的形式提供给广大用户。　　“通过进军65nm蚀刻工艺，意法半导体提供了一个极具竞争力的解决方案，为OEM融入设计高密度NOR闪存解决方案增加了一个新的选择，”Semiconductor Insights公司存储器产品分析师Geoff MacGillivray表示，“与主要竞争产品相比，裸片尺寸50.8mm2的ST 1-Gbit MLC NOR闪存是市场上的闪存芯片，创造了20.16-Mbit/mm2的Mbit/mm2存储密度。单元尺寸也非常小，仅为0.042μm2。” 　　“1000兆位单片存储器采用65nm多电平单元制造技术，有助于提高系统性能，增强终用户的使用体验，”意法半导体无线NOR闪存产品部副总裁兼总经理Marco Dallabora表示，“512兆位的65nm NOR闪存芯片是简易的ST 90nm PR系列升级解决方案，目前该芯片已集成到现有的高性能平台内。” 　　65nm PR系列是意法半导体与英特尔于2005年12月宣布的合作计划的一部分，这项目前还在进行的合作计划的目的是为客户提供的高性能产品，并提供多货源的采购灵活性。价格与供货　　新产品样片现已上市，256-Mbit、512-Mbit和1-Gbit闪存与PSRAM、LPSDRAM和NAND存储器芯片的堆叠封装产品的预算价格估计在10美元到30美元之间。