Intel大连建厂技术落后两代建设周期超长
出处:mosfet1 发布于:2007-12-15 13:53:42
英特尔投资25亿美元将在大连建一座90纳米制程技术的芯片厂,预计2010年上半年建成投产,超长的建设周期可能将让其使用的技术不再先进英特尔25亿美元大连建厂超常规建设周期让90纳米技术不再先进
昨天,国际CPU(处理器)芯片巨头英特尔宣布在辽宁省大连投资25亿美元,用来建设一座12英寸90纳米制程技术的芯片生产厂。这是英特尔在亚洲惟一一座12英寸生产线,为英特尔公司独立投资,预计将于2010年上半年建成投产。
英特尔大连工厂将于今年年底动工,英特尔称,工厂的初期生产将主要专注于芯片组以支持英特尔CPU处理器业务。此前,英特尔已经在上海、成都建设3家芯片测试封装企业。
根据英特尔总裁兼CEO保罗·欧德宁透露,英特尔已经从美国政府获得了允许在中国使用90纳米制程技术的许可证,并允许英特尔今后可以升级。他同时表示,目前还没有决定采用何种技术,但到2010年将采用允许在中国使用的技术。
业界希望英特尔在中国建造芯片生产线降低CPU的价格,欧德宁也表示,芯片制造业是工业,产能的增加势必影响芯片的市场价格。
不过,分析人士认为,目前看来,英特尔在中国建芯片生产线的象征意义大过实质性意义。
半导体莫大康认为,此次英特尔选址大连建12英寸生产线,其时间跨度超出常规,国内中芯国际北京12英寸线、无锡海力士意法半导体的生产线都在12个月内建成投产,而英特尔大连工厂计划至少24个月建成投产;时间跨度增大,使其90纳米制程技术投产之时已明显落后世界先进水平。按照芯片制程技术进程,目前主流CPU的制程技术为65纳米,今年下半年将推进到45纳米,到2009年将达到32纳米,那时,CPU主流制程技术将比90纳米先进两代,而这正是美国对华出口管制条例限制高科技出口中国的限度。
赛迪顾问半导体研究所所长李柯认为,英特尔近期已经完成对以色列、美国新墨西哥州和亚利桑那州3座60纳米和65纳米制程的生产线进行了增资扩产,相信短期内不会将更先进的技术移植到大连工厂。而国内中芯国际已经在使用90纳米制程技术。
英特尔在大连投建12英寸90纳米制程芯片生产线,将使台湾的技术出口限制变得尴尬,目前台湾只允许向内地出口0.18微米的芯片制程技术。
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