Vishay正在向其光电子产品系列中添加一款 0.5A MOSFET/IGBT 驱动器，该器件的低电平输出电压为 1.0V，因此无需使用负栅极驱动器。在一个封装中结合了高速光耦合器与 IGBT/MOSFET 驱动器的隔离式解决方案 － 新型 VO3150 － 在工业及消费类应用中非常适用于额定电压及电流分别高达为 1200V 及 50A 直接驱动的 IGBT。

　　采用 8 引脚 DIP 封装的 VO3150可节省终端产品中的板面空间，这些产品包括不间断电源、交流及无刷直流电动机驱动、工业逆变器、开关模式电源，以及等离子显示器面板。

　　该VO3150的高输出电压与正电源电压紧密匹配，因此与需要更高电源电压来提高 DMOS 或 IGBT 电源器件性能的应用中采用的其它 MOSFET/IGBT 驱动器相比，VO3150 更具有优势。

　　该 VO3150解决了电源半导体器件的常见问题，在这些器件中，当该器件以低于一般规定的20V 的栅极-源极电压运行时，输出电压会向前漂移。为避免这种情况，一般规避方法是在栅极驱动输出位置使用分流电阻，这可防止电压向上漂移。由于 VO3150 没有展示同样的向上电压漂移，因此通过该器件可无需使用额外元件来补偿这种行为。

　　该VO3150具有 5300Vrms的隔离电压，在 1500V 的 VCM时，其共模拒绝为 15kV/?s，典型为 30kV/?s。通过以开关频率高于 16kHz（超出了人的听觉范围）的高带宽运行，该器件可降低终端产品的噪声。其传播延迟时间仅为 0.7?s，供电电流为 7mA，并且具有 15V～30V 的宽阔工作电压范围，以及过压锁定保护。该器件的工业温度范围介于 -40°C～+85°C。

　　目前，VO3150的样品和量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 6～8 周。