TI推出效率4A高速MOSFET驱动器TPS28225
出处:tuwen 发布于:2007-12-05 09:41:34
TI 的 TPS28225 驱动器以 4.5V 至 8.8V 电压控制 MOSFET 栅极,从而实现了高效率和低电磁干扰 (EMI),在 7V 至 8V 电压范围内时,器件效率达到。TPS28225 实现了 14ns 自适应停滞时间控制、14ns 传输延迟时间、2A 大电流电源以及 4A 吸入驱动功能。
电源系统设计人员在采用5V 与 12V 标准驱动器的过程中不断要求实现更高的工作效率与性能。采用 TPS28225 的几家电源客户不仅将功率效率提高了 3% 到 8%,而且还提高了开关频率,减小了模块尺寸,并显著改善了瞬态响应。
针对较低栅极驱动器,驱动器的 0.4 欧姆阻抗可使功率 MOSFET 的栅极低于阈值电平,以确保高 dV/dT 相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用 N 通道 MOSFET。
TPS28225 提供的三态脉宽调制 (PWM) 输入与TI TPS40091等所有多相控制器相兼容。断电模式则能使负载免受反向输出电压的影响。
TPS28225 的关键特性:
推荐采用 7V 至8V 栅极驱动电压,这时优化后的器件能实现效率
针对高频率应用的 14ns 极短停滞时间
在每相位电流超过 40 A 的情况下实现业界效率
低阻抗吸入(典型值为 0.4 欧姆)与源电流(典型值为 1 欧姆)功能
在同步降压、升压或桥接配置下可驱动 N 通道 MOSFET
可接受宽泛的电压输入信号范围(3 V 至 24 V 范围)
单引脚上支持Space-saving(输入)与Power Good(输出)信号
独特的输入级可与所有业界标准的模拟与数字控制器相兼容
三态输入功能
提供针对窄占空比信号的智能管理功能
价格与供货情况
TPS28225 MOSFET 驱动器现已投入量产,可通过 TI 及其授权分销商订购获得。该器件采用低成本的 8 引脚 SOIC DFN 封装与散热增强型 3 毫米 x 3 毫米 8 引脚 DFN 封装两种封装版本。批量为 1,000 片时的建议零售单价为 0.60 美元。
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