IBM公司日前发布了据称是首款电致发光(EL)纳米管晶体管，并声称该器件发光亮度比发光二极管(LED)强1000倍，光子通量多达1万倍。  

　　通过在硅片上发射数千个光子，其能量消耗与砷化镓内的一个光子相同。IBM预测，碳纳米管(carbon nanotube)晶体管将导致在硅片上制成光集成器件。据IBM称，硅片集成光器件将有望降低成本，促进电子学发展，减少对奇异半导体材料(如砷化镓)的需求。 

　　IBM表示，其技术通过电气激励悬浮于掺杂硅晶圆上方的碳纳米管，实现了1,000倍亮的发射强度。所产生的电子空穴对电气中性，当复合时发射出红外光。其它研究组织也报道过碳纳米管发光，由激光激励光致发光。IBM则宣称其技术仅采用电气激励产生电子空穴对，密度比光致发光大100倍。 

　　IBM表示，凭借其光发射技术实现了非常高的效率。IBM在高掺杂的硅晶圆上的二氧化硅薄膜内蚀刻了沟道，制成了此款光发射晶体管。晶圆衬底充当碳纳米管晶体管的背面门极。而器件所发射的红外光强度与门极驱动电流呈指数相关。