半导体器件的评估方法、制造方法及器件设计管理大全

出处：kelvin_zyc 发布于：2007-04-29 10:02:06

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提供了一种以不同于采用霍耳测量或CV测量来获得载流子密度的方法的途径而简单地获得器件掺杂剂激活率的新方法，还提供了一种以适当阈值电压控制，亦即根据得到的激活率的剂量控制来执行的器件生产方法。本发明人发明了一种方法，其中，根据器件的阈值电压和平带电压而得到半导体膜中激活的掺杂剂密度(掺杂剂密度)，然后根据得到的激活的掺杂剂密度对用SIMS分析得到的掺入的掺杂剂密度(第二掺杂剂密度)的比率而得到掺杂剂激活率。本发明使得能够容易地获得器件的沟道形成区和杂质区中的掺杂剂激活率。

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