对可制造性设计(DFM)的担忧已经拖慢了90纳米晶圆的量产进度，并且将在65纳米出现更多问题，国际业务战略公司(International Business Strategies, IBS)执行官Handel Jones在无晶圆厂半导体协会(FSA)展览会期间表示。

Jones主持了一场关于DFM的讨论会，他在会上发表了IBS公司的研究。Jones的演示和随后与会来宾的评论对行业提出了警告，并呼吁采取行动。Jones指出，90和130nm晶圆采用相同材料，130nm量产时间仍然耗费接近一年半，90nm逾两年。“为什么会延迟？我们的分析是，泄漏是影响低产出率的主要罪魁祸首。”Jones表示。这包括亚阈值和门氧化物泄漏。

据Jones称，泄漏是与设计有关产出率损失的首要因素。在90和65nm，与设计相关的良品率损耗可能降低30%的产出率，比工艺相关和刻线相关的损耗更为显著，据IBS数据称。随着特征尺寸减少，非缺陷相关的良品率问题也随之增加。他还指出，制造和设计成本在总收入中占据的比例越来越高，而这一方向是错误的。

Jones的发言激起了其他与会人士的共呜。Cadence Design Systems公司DFM副总裁兼总经理Mark Levitt表示，DFM必须更加以设计为中心。Synopsys公司硅工程部DFM副总裁Anantha Sethuraman也谈到化学金属抛光，以及业内需要“抛光友好”的设计电路。他还呼吁具有“检查意识”的虚拟金属填充，而关键是设计要具有制造意识。

PDF Solutions公司总裁兼CEO呼吁业内由DFM规则向DFM模型转移，以量化电路元件失效的或然性，允许在性能和良品率之间进行折衷。