离散二极管和晶体管能在晶体生长的时候在硅ingot里形成结而生产出来。假设硅ingot开始的时候是P型晶体。经过短暂的生长后，通过加入控制量的磷melt被反向掺杂。继续的晶体生长会产生一个嵌入ingot的PN结。连续的反掺杂能在晶体里产生多个结，这样就能生产grown-junction晶体管。集成电路不能生长出来，因为没办法在不同的wafer区生产不同的掺杂区。即使生产简单的grown-junction晶体管都很困难，因为grown junction的厚度和planarity很难控制。每个反掺杂也提升了总的掺杂浓度。硅的一些特性（比如少数载流子lifetime）和总掺杂浓度有关，而不是超过另一种杂质的过剩量。因为反复的counterdoping降低了硅的电特性。

历史上，因为更好的planar工艺而很快抛弃了grown junction工艺。这个工艺用来生产现代的集成电路和大多数的现代离散器件。图2.16说明了怎么用planar工艺在wafer上制作离散二极管。首先均匀掺杂的硅晶体被切成wafer。生长在wafer表面的氧化层被光刻和蚀刻。去除氧化层的硅接触到杂质源。Wafer在加热管中又被加热来使杂质进入硅，形成了浅的counterdoped区。完成的wafer被切成成千上万的二极管。Planar工艺不需要硅ingot的多次counterdoping，因此可以得到更的结深和杂质分布控制。

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图2.16 使用planar工艺制作扩散的PN结二极管。