曝光过的wafer会用一种合适的developer喷射，通常都是有机溶液的混合液。Developer会溶解部分resist而露出wafer的表面。沉积或蚀刻只影响这些暴露出的区域。一旦选定的工艺完成，光刻胶就能用溶液洗掉。或者，也可以用有氧环境下的反应式离子蚀刻(节2.3.2)来把光刻胶去掉。这个过程叫做ashing。

许多重要的制造工艺都要求masking层能经受高温。由于大多数实用的光刻胶都是有机化合物，很明显他们都不适合。两种普遍的高温masking物质是二氧化硅和氮化硅。适合的气体和硅表面反应就能形成这些物质。这时候就可以用光刻胶和形成图案并用蚀刻工艺在氧化层或氮化层上开洞了。现代工艺技术已经在高温沉积和扩散的masking中大量使用氧化层和氮化层。