图1.10 Ge-Si 相图

1 —液相线，是组成不同的熔体开始析出晶体时的温度连线；

2 —固相线，是从组成不同的熔体中结晶终了时的温度连线

假设键合温度选1000℃, 开始时Ge刚熔化, 其原子数分数为100%，硅的原子数分数为0%（a点）。恒温一定时间，在两界面处硅开始溶解，沿1000℃温度线右移，液相中硅的原子数分数开始增加（如图1.11）。一定时间后到达b点（如图1.10）。这时全部Ge与硅形成Ge-Si液态共熔体（如图1.12）。此时共熔体中如果Ge或Si均不过量,则出现两相平均，析出合金晶体的速度等于合金晶体溶解的速度。但由于硅是过量的, 致使析出的合金晶体的速度大于合金晶体溶解的速度,开始析出合金晶体（如图1.13）。温度稳定一定时间后, 全部共熔体都形成Ge_xSi_y合金晶体析出(图1.10中的c点),即全部液相共熔体都转化成Ge_xSi_y合金晶体（如图1.14），两硅片通过Ge_xSi_y合金晶体连成一体而键合住。此时再降温,其固相成份不再变化。由相图计算出在1000℃时Ge_xSi_y合金晶体中锗原子数分数为78%,硅原子数分数为22%。