CMOS反相器传输特性与工作区划分

出处:awey 发布于:2007-04-29 10:10:16

将CMOS反相器电路直流传输特性曲线也分为五个电性区域,即N管截止而P管非饱和导通,该区对应的输入电压条件是:0≤Vi≤VTN,称为Ⅰ区,该区输出特征是:输出电压为VO=VDD,不随输入电压变化;N管饱和导通而P管非饱和导通,该区对应的输入电压条件是: VTN≤Vi≤VO+VTP, 称为Ⅱ区,该区输出特征是:输出电压随输入电压的增大而减小,且减小趋势变快;N管饱和导通而P管也饱和导通,该区对应的输入电压条件是: VO+VTP≤Vi≤VO+VTN, 称为Ⅲ区,该区输出特征是输出电压陡峭变化,输入电压增大一点就导致输出电压飞快下降;

N管非饱和导通而P管饱和导通, 该区对应的输入电压条件是: VO+VTN≤Vi≤VDD+ VTP , 称为Ⅳ区,该区输出特征是:输出电压随输入电压的增大而继续减小,但减小趋势变缓;N管非饱和导通而P管截止,该区对应的输入电压条件是: VDD+ VTP≤Vi≤VDD,称为Ⅴ区,该区输出特征是:VO=0,不随输入电压变化等五个工作区,经过分析可分别得到五个工作区的Vo~Vi关系公式,五区的关系式综合完成了电路由截止到导通的传输过程描述。



  
关键词:CMOS

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