内容: 1 典型pn结隔离工艺

1.1 pn结隔离工艺的工艺流程

1.2 典型pn结隔离的实现及埋层作用

1.3 pn结隔离结构形成的说 明

2 介质隔离工艺

2.1 介质隔离工艺的工艺流程

2.2 介质隔离工艺中晶体管和电阻的结构剖图

2.3 介质隔离工艺的工艺特点

3 pn结-介质混合隔离

3.1 pn结-介质混合隔离剖面结构

3.2 pn结-介质混合隔离结构特点

课程重点: 本节主要介绍了双极型逻辑集成电路制造中常用的典型pn结隔离工艺以及补充了性能更优越的介质隔离和pn结-介质混合隔离工艺,对三种工艺的工艺流程和工艺剖面结构分别作了介绍,并对三种工艺的工艺特点作了对比。其中重要的是典型的pn结隔离的工艺内容，这仍然是双极型逻辑集成电路制造中常用的隔离工艺，因为该工艺与常规平面制造工艺相容性。对三种工艺所制造的埋层结构做了介绍，并介绍了埋层所起到的两个作用，即解决了正面连线造成的集电极串联电阻增大的问题，又解决了器件功率特性和频率特性对材料要求的矛盾。强调了常规pn结隔离是如何从工艺上实现的，即隔离扩散的各扩散区均必须扩穿外延层而与p衬底连通（或称各隔离墙均有效）；强调了常规pn结隔离集成电路在使用时是如何给予电性保证的，即p衬底连接电路电位（保证隔离pn结二极管处于反向偏置）。

课程难点：三种隔离方法是如何达到使半导体集成电路中各元器件在电性能上达到绝缘隔离的；三种工艺中制造的埋层在集成电路中作用的原理；pn结隔离是如何工艺实现的，如何在使用时给予电性保证的。

基本概念：

1 pn结隔离-利用反向pn结的大电阻特性实现集成电路中各元器件间电性隔离方法。

2 介质隔离-使用绝缘介质取代反向pn结，实现集成电路中各元器件间电性隔离方法。

3 混合隔离-在实现集成电路中各元器件间电性隔离时，既使用了反向pn结的大电阻特性又使用了绝缘介质电性绝缘性质的方法。

基本要求：了解三种隔离方法各自的工艺流程，流程中重点工序的工艺方法和工艺特点。了解三种隔离方法各自的隔离特点和隔离性能对比，特别是隔离结构带来的有源寄生和无源寄生性能的对比。着重掌握典型pn结隔离的工艺流程和各工序的作用，了解典型pn结隔离集成电路的pn结隔离是如何工艺实现的，如何在使用时给予电性保证的；清楚的知道埋层是如何制造的，埋层有何特点，埋层在半导体集成电路结构中有何作用以及埋层制造质量对集成电路电性的能影响。