5月23日，Intel宣布第二次重新调整自已光刻的发展策略，将放弃
采用157nm的光刻机。这一消息的公布，将极大地影响半导体设备制造
业及材料供应商。Intel初将希望寄托在发展157nm的扫描型光刻机，
目的是在2007年时用在45nm结点工艺中。此次，Intel没有将157nm光刻
机作为发展32nm结点的理由，其中主要原因是157nm的镜头材料，氟
化钙太贵，缺乏供应商。相反，Intel却试图扩展193nm光刻机的功能到
下一代微处理器的发展中，包括90nm，65nm及45nm结点。
Intel表示仍坚持每两年一个循环，来实现公司的工艺技术发展目
标.但是在实现45nm结点中，Intel改变了现有的工艺路线。
　　目前，Intel有两家光刻机供应商，ASML及Nikon。而且在发展65nm
结点中，Intel已经分别为来自ASML，Nikon及Canon三家的光刻机进行
了设备的评估。
　　原先，Intel的光刻工艺发展规划是在2003年用193nm光刻机，解决
90nm结点，而在2005年用157nm光刻机解决65nm结点，在2007年用
极紫外光线(EUV)解决45nm结点。
　　在此次调整中，Intel表示90nm结点没有改变，而由于技术方面等
原因，将放弃157nm光刻技术的开发，而试图扩展现有的193nm技术至65nm
结点中。同时表示，将可能把现有的193nm技术，扩展用在45nm结点中，
但是对于EUV技术已经明确表示，由于技术方面的原因将推迟发展。
　　除此之外，还有其它原因，如157nm的光刻胶及pellicle仍有困难。
同时研究者发现镜头材料其固有的双折射(birefringence)问题，至使
镜头材料达不到很高的水平，将严重地影响到镜头的设计及光刻图像的
质量。
　　要想采用现有的193nm光刻技术来实现低至65nm及45nm结点，肯定
尚有许多的问题。尽管目前许多供应商正在发展高数值孔径(NA)的先进
193nm光刻机，但是，集成电路制造商必须在发展分辨率增强技术(RET)
等方面与之配合，如光学邻近效应校正(OPC)技术，相移掩模(PSM)技术
及离轴照明(OAI)技术等。