上面已经提到，通过DRC验证的版图还需要进行LVS也就是版图和线路图对查比较。实际
上就是从版图中提取出电路的网表来，再与线路图的网表比较。那么如何提取版图网表呢？
这里我们就要使用到DIVA的extract文件。下面是它的简单介绍：
首先，同DRC一样，extract文件的开始同样是这样一条语句：ivIf（switch（“extract？”） then
它相当于一个条件转移语句，当有extract这个命令时，执行下面的规则，否则跳转到另外
的循环。
接着，extract文件中要进行的是层次定义，它一般分为三个步骤：
1． 识别层定义（recognition layer）
2． 终端层定义（terminal layer）
3． 伪接触层定义（psuedo_contact layer）
然后是定义层次间的连接关系，使用geomConnect语句将版图间的不同层次连接起来（一个
extract文件只能有一个geomConnect语句），构成完整的网表。例如句子：
geomConnect（
via（contact psd nsd poly metal1）
via（via metal1 metal2）
）
其中，via语句的作用是使用连接层连接任意数目的层次，但要注意的是：一个via语句中只
能出现一个连接层。但在geomConnect语句中via语句可以出现的次数不限。以上语句表示：
在有contact的地方，psd nsd poly metal1 是相互连接的。在有via 的地方metal1和metal2
相连，注意后一个via和前一个的意义不同。
上述工作完成之后，我们接着要进行的工作是器件的提取（device extraction）。使
用extractDevice语句。extractDevice 语句定义电路中用到的元器件，这是提取文件中的
关键语句。语法说明如下：
extractDevice( reclayer termlayer model physical )
其中reclayer是识别层，它应该是后来通过逻辑关系生成的提取层，这个层上的每一个图形
都会被当作是一个元器件。
Termlayer是端口层，它表示的是元器件的端口，一定要是可以连接的层次。具体的端口定
义因元器件而异。
Model指的是元器件的类型，与端口要对应。例如下两句：
extractDevice( pgate (GT "G")(psd "S" "D")(NT "B")"pfet ivpcell" )
extractDevice( ngate (GT "G")(nsd "S" "D")(pwell "B")"nfet ivpcell" )
分别提取出pmos管和nmos管。
接着很重要的一步是器件尺寸测量，使用measureParameter语句，例如：
w1＝measureParameter（length （ngate butting nsd） .5）
这一句测量的是nmos的沟道宽度，注意后面的.5必须加上，否则测出的将是两倍的沟道宽度。
下面使用saveInterconnect 这个命令把连接的层次写到提取出来的网表中，以便在做
LVS时，可以与线路图中的网表互相对比。
saveInterconnect( nsd psd poly contact metal1 )
saveRecognition 这个命令将提取产生的可以识别的图形保存下来。通常和
extractDevice语句中的识别层一致。
saveRecognition( ngate "ngate" )
saveRecognition( pgate "pgate" )
以上就是对extract文件的一个简要介绍，读者可以参看附录中完整的例子，以加深对它的
理解。