表1是通过eb结加反向电压测电阻的一组数据，13VFBE及14VFBE、15DELTA是测R总电阻上的电压差ΔV，16DEF是R总电阻上的电流差ΔI，17R1＋R2是ΔV/ΔI＝R，18VFBE及19VFBE、20DELTA为电阻R1上的电压差ΔV，21DEF为电阻R1上的电流差ΔI，22R1＝ΔV/ΔI＝R1，23R2＝17R1＋R2－R1＝R2，24R1/R2为R1与R2的比值。表1中数据与B370图示仪曲线不是同一批产品，测R1时，把拐点也包括进去了，测出的R1就不太准确了。所以每批产品要在B370上先看一下拐点才能正确选取ΔV和ΔI的范围。

结论

数字晶体管内置电阻的测试，要有相当的实际经验，才能把电阻测得相当准确，我公司现有测试水平可到1Ω级。

测试时具体情况必须具体对待：（1）对于R1、R2电阻较大的数字晶体管，电流差ΔI不易取正确，R1、R2电阻过小的，电压差ΔV不易取正确，这些都会造成R1、R2测试有一定的误差；（2）选取ΔI及ΔV时如果位置选得不恰当，超过R与R1之间的拐点，均会使测试误差比较大；（3）一般编测试程序前，要在图示仪上看一下，两个电阻段的拐点在什么地方，便于正确选取ΔI及ΔV，使R及R1测得较正确；（4）对于R1、R2较大的数字晶体管，反向测试需加的电压会相当高，对晶体管可靠性会有影响，这时加正向测试比较方便，也可以测得比较正确。