多层陶瓷封装外壳的微波设计
出处:维库电子市场网 发布于:2023-07-28 16:37:39
摘要:随着微电子器件的发展,集成度越来越高,不断向高频、高功率应用迈进,对其封装技术的发展也提出了更高的要求。本文以一个场效应管封装外壳的微波设计为例,探讨了微波三维结构仿真技术在封装外壳设计上的应用,证明对封装外壳进行合理的微波设计,可以有效地提高器件的微波性能。
当今世界科技的发展日新月异,在信息化进程中微电子技术一直起着先导和作用,随着信息化、网络化时代的到来,微电子技术在国民经济中的地位也显得越来越重要。微电子封装为微电子系统提供机械支撑、电气互连、散热通道、电磁屏蔽、环境保护等功能,电子系统的可靠性、成本及优良的电气性能不仅仅依赖于电路设计,在很大程度上还取决于所采用的封装设计与材料。因此微电子封装成为IC产品发展进步不可或缺的后端产品。
本文是一个微波功率管封装外壳的设计中探讨微波仿真技术在封装外壳设计上的应用。众所周知,封装外壳制约着微波弹片电路性能的因素主要有输入输出端的阻抗、插入损耗、驻波比以及隔离度某场效应管封装外壳的外形图。由图可知该外壳有两个引出端。若该封装外壳键合芯片斌杆状到系统中,那么对于其中一个引出端的电路示意图。
信号能够接近全传输,即ZO =Zout。但是一般阻抗匹配网络都是由损耗的,因此匹配网络的插入损耗也就是微波信号在匹配网络中传输时损失的部分,通过
反射也就是受反射系数的影响。由此可见,为满足期间对封装外壳的要求,我们在外壳设计时必须考虑通过设计外壳微带线使其特性阻抗等于弹片的特性阻抗Zo,从而达到阻抗匹配之目的,以保证封装外壳上插入损耗,驻波比。
一般而言微波器件微火的阻后的增益和输出功率一般都利用电路匹配把阻抗专为标准的50Ω。如上所诉,在微波传输系统中,如果传输网络与信号源、负载不匹配,传输线上的驻波就会增加信号的反射,当期间工作在高频时,插入损耗将非常大。因此为保证整个电路的阻抗匹配,在设计封装外壳是应该使其引出端特性阻抗为50Ω,目前封装外壳的制造中引出端的微带线通常是以高温陶瓷共烧工艺在Al2O3 基板上实现的,因此只要知道微带线德的工作频率就可以计算出微带线的粗略尺寸。
为了得到满足微波传输要求的封装外壳设计,使用HFSS来见了该封装外壳的微波传输模型。通过对模型进行仿真来获得端口阻抗、插入损耗以及驻波比的数据。并在此基础上对微带线过度结构不断优化,终获得了满足性能要求的设计。首先算出微带线尺寸数据进行建模,得到粗略的模型。
得到的端口阻抗接近于50Ω,但插入耗损以及驻波比的数值比较大,尚需要优化。
观察电磁场在该结构模型中的分布可以发现:在微带线的过渡出电场强度较大,且分布很不均匀。过剩的电荷在此处集中,导致能量辐射损失,造成插损和驻波比偏大,符合上述的理论分析。
根据次仿真的结构进行分析,使用SPACEMAPPING的方法在HFSS里对该结构进行优化。
b. 在此优化后确定模型结构、尺寸。
再次设置材质和边界,进行仿真。得到的端口阻抗数据如表2。
特性阻抗情况比前几次有所改善,插入损耗以及驻波。
这次模型仿真结构比较理想,在X波段端口阻抗为48.3Ω,相位变化为-0.05°,基本上达到了阻抗匹配的目的;在其间工作频率下,插入损耗<1.05,可以满足期间的工作要求。在此观察电磁场在此结构中的分布。
电场过渡比较均匀,无突变区域,无明显电荷集中区域,因而整个结构的插入损耗以及驻波比都比较理想。
随着微波器件的不断发展,对其封装外壳的电性能提出可越来越高的要求。采用微波结构模拟软件进行封装设计可以提高期间性能、缩短封装设计周期。
封装外壳的加工工艺对其微波特性影响较大,特别是基板的平整度和金属化图形的尺寸在高频下会极大地影响插入损耗。
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