赛普拉斯半导体公司 (Cypress Semiconductor Corp.) 宣布其已开始提供业界首款Quad Data Rate II +(四倍数据率II+)和DDRII+（双倍数据率II+）SRAM系列器件样片。该新型存储器芯片提供了密度和带宽，比现有的QDRII 和DDRII产品的系统级带宽提高50%之多。这些新型存储器将加速各种数据密集型应用的读写功能，其中包括交换机、路由器、服务器、存储设备、无线基站和测试设备等。
　　
　　采用165 引脚 FBGA 封装的QDRII+和DDRII+产品，其工作速度高达500 MHz，与QDRII和DDRII 相比，器件外形尺寸保持不变，带宽较高，可高达72 Gbps。新型存储器得到 QDR 联合开发工作组的支持，将与NEC、IDT、Renesas 和Samsung等其他联合开发工作组成员的产品实现引脚兼容。Cypress的QDRII+/DDRII+ SRAM 系列器件采用了Cypress的90纳米RAM9?工艺技术制造。
　　
　　赛普拉斯的存储器与成像部产品市场营销总监Mathew Arcoleo 指出：“率先向市场推出QDRII+产品这一举动，充分证实了Cypress继续巩固其在SRAM市场中的地位的决心。该新型器件为制造商提供了他们所需要的高密度和高性能，以扩展网络功能并提供更多服务。”
　
　　赛普拉斯的72 Mbit QDRII+/DDRII+ 产品目前已提供样片，预计将于2006年下半年开始投产，届时将公布定价。如欲查看QDRII+部件照片，请访问：www.cypress.com/QDRII+photo。