奇梦达的低功耗DRAM产品系列用超低待机和操作功耗来延长电池使用时间，另一优势是它的超小封装尺寸，能够满足对空间受限的应用需求。这些特性使其成为快速增长的超低功耗DRAM市场的理想选择。

据市场分析家iSuppli“2007年第二季度DRAM市场跟踪”预测，对低功耗DRAM的需求量将从2007年2.38亿512Mbit约当量增加至2010年的12亿512Mbit约当量(年均复合增长率为71%)。

奇梦达采用75纳米低功耗沟槽工艺平台，该平台是公司所有75纳米低功耗DRAM产品系列的基础。新型Mobile RAM采用非常有弹性的设计概念，将DDR与SDR接合以及x16和x32两种界面放入同一个芯片设计，在后端封装测试前采用bond option技术决定产品终的接合(DDR或SDR)和界面(x16或x32 )。新型Mobile DRAM也具备单/双面焊垫(pad out)接合版本，能配合任何组件级封装、多重芯片封装(MCP)、或系统级封装(SIP)。

奇梦达的512Mbit低功耗RAM针对MCP与SIP解决方案提供的品质，同时实现功耗，从而延长手持设备的电池使用时间。

“我们非常高兴推出这款多功能75纳米低功耗DRAM的新产品，它是我们准备在今后6个月内推出的一个完整产品系列的主导产品。除了产品本身具备的优势外，我们还将以创新封装和测试服务进一步完善该产品系列，以满足客户打造速度更快的移动产品的需求，”奇梦达消费和移动事业部副总裁Ayad Abul-Ella说道。