应用材料公司推出Centura Carina Etch系统用于世界上晶体管的刻蚀。运用创新的高温技术，它能提供45纳米及更小技术节点上采用高K介电常数/金属栅极(HK/MG)的逻辑和存储器件工艺扩展所必需的材料刻蚀轮廓，是目前具有上述能力并可以用于生产的解决方案。应用材料公司的Carina技术具有的表现，它能达到毫不妥协的关键刻蚀参数要求：平坦垂直，侧边轮廓不含任何硅材料凹陷，同时没有任何副产品残留物。

　　这套系统高性能的关键之处在于其拥有知识产权的高温阴极。高温工艺可以提供平坦垂直的轮廓，不会产生传统温度工艺下带来困扰的高K介质材料残留和硅材料凹陷。此外，高温防止了被刻蚀的材料再次沉积到硅片上，也无需采用复杂的湿/干组合工艺去除残余物。先进的反应腔材料能提供长期的工艺稳定性和所有可用的先进栅极刻蚀系统中的耗材成本。