UV-EPROM的读操作
出处:highway 发布于:2008-11-18 10:31:16
接下来我们看一下UV-EPROM的读操作。无论怎么说,这只是作为ROM(Read Only Memory,只读存储器)的操作,因而非常简单。
将地址总线(A0~A16)设置为希望访问的地址,当CE=OE=低电平时,DQ中出现数据。
现在,让我们来讨论AC特性。
AC特性对时序进行了规定。图显示了Am27C0l0读操作时的波形。具体的时序如表所示。在“速度等级”一栏中虽然有许多内容,但这表示即使是相同的器件,也将根据tACC时间进行区分。器件中标示速度等级的“—45”及“-90”等的数值是与器件型号及批号等一同被打印上去的。
图 Am27C010读操作的波形
表 Am27C010的AC时序
这并不是根据速度等级的不同而进行不同的设计,即使是以完全相同的设计进行制造,也将根据试验结果和出货计划进行等级分类。例如,“- 90”器件的tACC是90ns,它不能归类到“-70”的器件中。也就是说,tACC的实际测量值如果不是大于70ns、低于90ns之间的值,那么根据情况,可能被归类到“-45”及“—70”等的等级中。
下面我们针对图示的时序做少许补充。
1. tACC:地址访问时间(Address Access Time)
在维持CE=DE=“L”(低电平)的状态下,如果改变地址总线的状态,则一定时间后该地址的数据将显现于DQ端。从地址确定后到数据被实际确定之间的时间就是tACC。在tACC时间形成之前,不能确保DQ端出现数据。
2. tCE:CE访问时间
在地址确定、OE仍然维持“L”低电平的状态下,如果CE有效(为“L”),则一定时间之后将出现指定地址的数据。从CE有效到确保数据已确定这一段时间是tCE。Am27C010的tACC和tCE的时间是相同的。
3. tOE
在地址确定、CE维持“L”低电平的状态下,从OE有效到数据被确定的时间就是tOE。观察存储器内部,一旦地址确定、CE有效,则向存储器单元的访问就全部完成,数据输出到EPROM的输出缓冲器前。
在此,只要OE有效,输出缓冲器就输出数据。为此,比较tACC和tCE,tOE会更短。
tACC、tCE和tOE无论哪个都不能单独确定大小,必须在整体中去适应速度慢的那个时间值。例如,在利用了Am27C0l0 Qn的系统中,地址确定后,在5ns后CE有效,再5ns后OE有效。从表中可看出,tACC=tCE=90ns,tOE=40ns。
如果以地址被确定那一时刻作为起点,则:
根据tACC的访问时间:90ns
根据tCE的访问时间:5ns+90ns=95ns
根据tOE的访问时间:5ns+5ns+40ns=50ns
因而,访问时间的大小取决于tACC、tCE和tOE中长的tCE,也就是说地址被指定后数据将在95ns后被确定。
4. tDF
CE及OE如果无效,则DQ引脚处于高阻抗状态。但这也不能说是瞬间,还是需要一些时间的,该时间就是tDF。在tDF以内的时间里,如果其他的器件驱动了数据总线,则将会与EPROM的输出发生冲突。因此,在进行硬件设计时必须注意这一点。
5. tOH
提供给EPROM的地址发生变化,或者即使CE和OE无效,瞬间数据也不会消失,而是在非常短的时间内,维持输出的原始状态。规定的这个时间就是tOH。
Am27C010的该时间全部是零,所以不能确保地址发生变化或者OE及CE无效后的数据。
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