M280l0基本的存取过程与闪速存储器完全相同，只包括对器件的读操作及写操作两种。擦除以及保护功能等可以通过写操作发出一系列的指令序列来进行。
　　1.  读操作
 
　　EEPROM的读操作如图1所示。注意事项与闪速存储器的基本相同，因此这方面请参考闪速存储器的注意事项。赋予地址，使E和G有效，然后等待一定时间后出现数据。这样，主机提取该数据，然后使E和G无效，结束存取周期。

图1 EEPROM的读操作

　　因为与串行EEPROM不同，它不与时钟同步运行，所以需要参考数据手册中的存取时间等，设计成在只经过认为数据确实被确定的时间后，主机再进行数据读操作。虽然不必太介意像ISA总线那样的低速总线，但像目前的处理器那样，如果外部总线的操作较快，则在外部需要增加让CPU等待的电路，以调整时序。

　　2.  写操作              
 
　　EEPROM的写操作也与闪速存储器相同，包括利用W信号控制（W写控制）和利用E信号控制（E写控制）两种方法，图2和图3简单说明了这两种方法的操作。

　　图2 EEPROM的写操作（1）（w写控制）

　　图3 EEPROM的写操作（2）（E写控制）

　　无论哪种方法，在E或W延迟有效的下降沿，地址被提取，而在提前无效的一方的上升沿，数据被提取。

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