同步管道突发式SRAM的操作基本上都是与时钟的上升沿同步进行的，因此能够看到时钟沿的状态。在功能方面看上去非常复杂，但时序的读取比异步SRAM还是简单的。
 
　　1.  同步管道突发式SRAM的周期定义
 
　　由于都是与时钟同步的，所以可以通过时钟沿中各个控制线的状态确定下一个状态。
 
　　表  表示CY7C1347B的周期定义。

　　表  同步管道突发式SRAM的周期定义

　　从器件的内部框图以及CE3、CE2、CE1一栏可以看出，这些使能引脚是在操作开始时刻被利用的，而一旦开始进行读或者写操作，则这些引脚就不再被利用。

　　2.  读操作1：单一读
 
　　所谓的单一读操作，就是读出所希望读取的地址数据，与异步SRAM的处理相同。其操作波形如图1所示，如果在初的时钟沿上让芯片发挥使能，并且赋予地址，那么将在2个时钟后读出数据，只要在外部电路锁存该数据即可。

　　图1 单一读操作

　　起始地址在初的ADSP时钟时被锁存，开始对存储器单元进行存取操作，然后在下一个时钟从存储器中输出数据，进而在下一个时钟将数据提取至输出缓冲器的锁存器中。对于单一读只要具有这个印象即可。

　　2.  读操作2：突发读
 
　　突发读时的操作如图2所示，在开始时刻与单一读的操作相同，但第2个时钟以后，在ADV有效方面具有独到之处。

　　图2 突发读操作

　　在锁存了地址的过程中，因为对存储器单元的存取操作已经开始，所以只能在下一个时钟更改地址。在此，如果ADV有效，则通过内部的突发式计数器，将更新低位的2位地址，2个时钟后再读出新地址的数据。
 
　　图中也表示了在中途ADV无效时的操作，由于即使ADV无效，读操作本身也将继续，所以数据将被连续输出。如果ADV再次有效，则突发式计数器向前进位，在2个时钟后读出下一个数据。
 
　　3.  写操作1：单一写
 
　　单一写的操作如图3所示。由于在此例中利用了ADSP信号，所以写控制信号以及数据将在第2时钟中赋予。利用ADSC信号时可以同时赋予数据及写控制信号。

　　图3 单一写操作

　　4.  写操作2：突发写
 
　　表示突发写操作的如图4，初的写操作与单一写相同，第2次写操作以后由于与ADV信号同时赋予数据，因而成为推进数据传递以及地址的操作。与进行读操作时不同的是可以同时赋予信号ADV与数据。

　　图4 突发写操作

　　观看内部框图就可明白，此时，数据端被提取到输人锁存器中，地址进位，等待在下一个周期完成写人操作。
 
　　不可以在ADSP的下一个周期、即起始数据写人的时刻使ADV有效，如果ADV有效，而起始数据的写人操作还没有进行，那么将造成地址向前进位的后果。
 
　　在图中，对利用ADSP进行写操作之后利用ADSC的写入周期也进行了描述。虽然在这个时钟时刻，在同步管道突发式SRAM内部也在进行写入操作，但由于外部锁存器已经处于接受下一指令的状态9所以可以对利用ADSC信号的地址及数据进行锁存。

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