图中表示了存取操作中的一个例子，该示例中的操作是管道模式（FT／Pipe引脚为高电平）下的操作，它按照读／写／读这样的顺序进行存取。

　　图 同步双端口SRAM的存取操作示例

　　直流模式下的读／写操作，因为数据的输出是被一个个时钟前置的，所以在赋予地址的下一个时钟沿上确定数据。
 
　　首先，在初的时钟上CE有效，器件处于被选择的状态。因为R／W为高电平，所以操作是读模式，而又因为ADS有效，因而将A0～A16作为所访问的地址进行提取。在这个例子中，是在下一个时钟中改变地址的，这只是希望表示管道模式操作才这样描述的。
 
　　因为是在赋予地址的下一个时钟沿开始输出数据，所以，外部电路在所赋予指定地址的2个时钟周期后的时钟沿上提取数据。
 
　　在这次的示例中，在2个时钟之后的时序内将R／W设为低电平，则转换为写模式。如果在这个时钟沿之前CE无效，则因为不能输出Q（n）的数据，所以在外部电路中驱动I／O0～I／O8，可以在该时钟沿上写人数据。但是此示例中，由于CE一直有效，所以正在输出来自双端口SRAM的数据，因而不能写入数据。只能在此等待一个时钟，在下一个时钟沿中写入数据。
 
　　写操作结束后，如果R／W再恢复为高电平，则变为读模式。从高电平的R／W被采样的时钟沿开始，2个时钟之后确定数据。

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