微电子工艺之所以会有今天的发展，二氧化硅做为一种优质的绝缘材料起着至关重要的作用。对于光波导器件来说，合适生长上包层二氧化硅的做法也是采用氧化工艺。热氧化分为干氧氧化和湿氧氧化两种。干氧氧化的化学反应式为：

　　氧化一般是将硅片放在石英炉内，调节反应气体的流量和温度，温度一般为750～1200℃。热氧化工艺一般用Deal和Grove模型描述

　　这里砒是二氧化硅的厚度，莎是氧化时间，A、B、τ分别是跟氧气在硅表面反应速率、氧气分子在氧化物中的扩散、说明初始氧化存在的表示时间坐标偏移的常数。可以根据具体的实验条件测出来。在开始氧化时，（τ＋t）《（A(2) / 4B），这是一个反应速率限制的过程，与氧气分子到达基片表面有关。当t 》τ且t》（A(2) /4B）时，就变成氧化发生前氧气或水分子扩散通过己形成的氧化物到达硅表面限制的过程。

　　影响氧化数率的原因有气体压力、晶向、基片掺杂浓度和晶格损伤等。另外，湿氧的氧化速度较干氧大许多，这是由于在二氧化硅中水蒸气较氧气平衡浓度大得多的结果。但通常湿氧氧化膜的致密性较干氧差。由于氧化会消耗硅的厚度，所以在小截面光波导制作时一般用CVD（化学气相沉积）来沉积二氧化硅作为上包层。