（1）刻蚀速率：影响因素有刻蚀气体种类、活性基团的密度（例如HDP的刻蚀速率很高）、鞘层电压（通过功率、气体压力、流速、频率、浓度等工艺参量改变）。

　　（2）选择性：RIE主要用于图形转移，因而一般要面对刻蚀两种材料  已开窗口的掩模及其下方待刻蚀的材料。要求Plasma对掩模材料的刻蚀速率低于对衬底材料的刻蚀速率。这就是选择性的意思。

　　（3）边缘剖面的控制———些因素干扰了准确地复制图形。

　　①钻蚀（Undercutting）。由于离子几乎垂直地入射到衬底表面，因此片子正底面接收到的离子流要比sidewall接收到的离子流要大得多。如果是离子诱发反应，则没有横向刻蚀。但如果是离子增强反应，则掩膜下会有一定程度的钻蚀。

　　②刻面现象（Faceting）。这是与溅射刻蚀速率和离子入射角有关。对大多数材料而言，偏离法线的入射角方向刻蚀速率变大。刻面出现在相应于的刻蚀速率方向。它一般不影响边缘轮廓，除非刻蚀过程时间很长，刻面与衬底表面相交了。

　　③挖槽现象（Trenching）。这来自台阶侧壁底部附近的反射，使局部区域离子流密度增加了。

　　④再淀积（Redeposition）。被物理溅射出来的材料并未转化为挥发性产物。而是凝聚到它碰到的任何表面上。如果落到其邻近的掩模图形上，有可能使边缘轮廓及线宽改变。

　　（4）副作用：

　　①聚合物的沉积。卤碳气体放电产生非饱和（缺卤）的碎屑（Fragments）（如CF2）。它可以在所碰到的表面上迅速地反应生成聚合物膜。如果在待刻蚀的表面上形成，会阻碍刻蚀。而如果在掩模或侧壁上形成，则可利用来提高选择性或各向异性。过多的不饱和物，较低的离子能量，及还原性材料的表面，一般有利于聚合物膜的淀积。例如CHF，膜可在接地的或浮置的表面上形成。而在Ⅲ功率电极表面上，由于离子能量高，不会形成。

　　②高能离子。远UV光子，X射线的辐射损伤。

　　③刻蚀系统内表面的原子（包括外来沾污的物质）被离子轰击，溅射出来后成为污染的杂质淀积到衬底上。