我们所用的膜层材料为SiNO系材料，图1为镀SiN膜所得的实验结果。曲线1为镀膜前外延片的反射谱，曲线2和3 分别对应膜厚为95 nm和135 nm的情形，膜厚度用椭偏仪测出。从曲线1可知，片子的e－lh峰在840 nm，e－hh峰 在848 nm，模式波长的位置在832 nm。对于常通型调制器，模式波长的位置应在e￣hh峰的长波长方向；而常关型 器件，模式波长的位置应在e-hh峰附近，而且顶部必须镀减反膜，否则器件会工作在饱和区，降低器件的调制特 性。由于模式波长位置不合适，先采用镀SiNO减反膜的方法来移动模式波长。

图1 镀SiN膜前后器件的反射谱

　　由曲线2膜厚95 nm的反射谱可知，模式波长发生了移动，但由于表面反射率降低，ASFP腔的谐振吸收作用和激 子吸收相比，作用比较弱，因而在曲线上看不到明显的模式波长位置。用椭偏仪测量可知，膜层折射率为1.8左右 ，由理论计算可知模式波长大约移动10 nm，在842 nm左右。镀膜后，e-hh峰处的反射率明显降低，此时虽然模式 波长没有在e-hh峰位置，但由于模式波长距激子峰比较近使得e-hh峰附近的反射率降低很多。

　　由曲线3膜厚为135 nm的反射谱可知，与镀膜前的模式波长相比，镀膜后模式波长反而减小了，从原来的832 nm 变到820 nm。膜层折射率为1.8，从以上的理论分析可知，当折射率为1.8，膜厚增加到135 nm时，模式波长会下 降约10 nm，曲线3应属于这种情况。

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